MMDF3N04HDR2G
Modèle de produit:
MMDF3N04HDR2G
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
53449 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
MMDF3N04HDR2G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Package composant fournisseur:8-SOIC
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:80 mOhm @ 3.4A, 10V
Puissance - Max:1.39W
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:MMDF3N04HDR2GOSCT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:900pF @ 32V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:28nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):40V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 3.4A 1.39W Surface Mount 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:3.4A
Numéro de pièce de base:MMDF3N04HD
Email:[email protected]

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