MMDF2C03HDR2
Modèle de produit:
MMDF2C03HDR2
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
57988 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
MMDF2C03HDR2.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Package composant fournisseur:8-SOIC
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:70 mOhm @ 3A, 10V
Puissance - Max:2W
Emballage:Cut Tape (CT)
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:MMDF2C03HDR2OSCT
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:630pF @ 24V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
type de FET:N and P-Channel
Fonction FET:Logic Level Gate
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:4.1A, 3A
Numéro de pièce de base:MMDF2C03HD
Email:[email protected]

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