MMBT2222A RFG est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour MMBT2222A RFG, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour MMBT2222A RFG par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez MMBT2222A RFG avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
MMBT2222A RFG
- Modèle de produit:
- MMBT2222A RFG
- Fabricant:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- La description:
- TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.6A, 50A/
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 46994 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- MMBT2222A RFG.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 50mA, 500mA |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | SOT-23 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 300mW |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Autres noms: | MMBT2222A RFGTR MMBT2222A RFGTR-ND MMBT2222ARFGTR |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 32 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Fréquence - Transition: | 300MHz |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mA 300MHz 300mW Surface Mount SOT-23 |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 150mA, 10V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 10nA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 600mA |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes MMBT2222A RFG
Latest Nouvelles
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti