MJD117-001
MJD117-001
Modèle de produit:
MJD117-001
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
33149 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
MJD117-001.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:3V @ 40mA, 4A
Transistor Type:PNP - Darlington
Package composant fournisseur:I-PAK
Séries:-
Puissance - Max:1.75W
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Température de fonctionnement:-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition:25MHz
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Through Hole I-PAK
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:1000 @ 2A, 3V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):20µA
Courant - Collecteur (Ic) (max):2A
Numéro de pièce de base:MJD117
Email:[email protected]

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