MIAA10WD600TMH est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour MIAA10WD600TMH, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour MIAA10WD600TMH par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez MIAA10WD600TMH avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
MIAA10WD600TMH
- Modèle de produit:
- MIAA10WD600TMH
- Fabricant:
- IXYS Corporation
- La description:
- MODULE IGBT CBI
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 23509 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- MIAA10WD600TMH.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 600V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2.6V @ 15V, 10A |
| Package composant fournisseur: | MiniPack2 |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 70W |
| Package / Boîte: | MiniPack2 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| NTC thermistance: | Yes |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: | 0.45nF @ 25V |
| Contribution: | Single Phase Bridge Rectifier |
| type de IGBT: | NPT |
| Description détaillée: | IGBT Module NPT Three Phase Inverter 600V 18A 70W Chassis Mount MiniPack2 |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 600µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 18A |
| Configuration: | Three Phase Inverter |
| Numéro de pièce de base: | MIAA10W |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes MIAA10WD600TMH
Latest Nouvelles
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash