MG12600WB-BR2MM est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour MG12600WB-BR2MM, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour MG12600WB-BR2MM par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez MG12600WB-BR2MM avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
MG12600WB-BR2MM
- Modèle de produit:
- MG12600WB-BR2MM
- Fabricant:
- Hamlin / Littelfuse
- La description:
- IGBT 1200V 600A 2500W PKG WB
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 22616 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- MG12600WB-BR2MM.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 1200V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 2.5V @ 15V, 600A |
| Package composant fournisseur: | WB |
| Séries: | - |
| Puissance - Max: | 2500W |
| Package / Boîte: | Module |
| Autres noms: | F7796 MG12600WB-BR2MM-ND |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C |
| NTC thermistance: | Yes |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 10 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce: | 60.5nF @ 25V |
| Contribution: | Standard |
| type de IGBT: | Trench Field Stop |
| Description détaillée: | IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 750A 2500W Chassis Mount WB |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 100µA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 750A |
| Configuration: | Half Bridge |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes MG12600WB-BR2MM
Latest Nouvelles
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement