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MBR200200CT
- Modèle de produit:
- MBR200200CT
- Fabricant:
- GeneSiC Semiconductor
- La description:
- DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 48633 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- MBR200200CT.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 920mV @ 100A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 200V |
| Package composant fournisseur: | Twin Tower |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | Twin Tower |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 150°C |
| Type de montage: | Chassis Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 4 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Schottky |
| Configuration diode: | 1 Pair Common Cathode |
| Description détaillée: | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200V 100A Chassis Mount Twin Tower |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 3mA @ 200V |
| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode): | 100A |
| Email: | [email protected] |
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