MB85R256FPFCN-G-BNDE1 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour MB85R256FPFCN-G-BNDE1, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour MB85R256FPFCN-G-BNDE1 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez MB85R256FPFCN-G-BNDE1 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
MB85R256FPFCN-G-BNDE1
- Modèle de produit:
- MB85R256FPFCN-G-BNDE1
- Fabricant:
- Fujitsu Electronics America, Inc.
- La description:
- IC FRAM 256K PARALLEL 28TSOP I
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 29017 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- MB85R256FPFCN-G-BNDE1.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 150ns |
| Tension - Alimentation: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| La technologie: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Package composant fournisseur: | 28-TSOP I |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tray |
| Package / Boîte: | 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) |
| Autres noms: | 865-1170 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Type de mémoire: | Non-Volatile |
| Taille mémoire: | 256Kb (32K x 8) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | FRAM |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns 28-TSOP I |
| Temps d'accès: | 150ns |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes MB85R256FPFCN-G-BNDE1
Latest Nouvelles
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement
- Vishay lance un emballage minileur à haute luminosité petite LED bleu et vert pur
- Ansonmei a lancé un capteur de position inductif pour le marché industriel et des transports
- Ruisa démarre l'ancienne usine pour augmenter le dispositif d'alimentation, le tremblement de terre affecte la sortie DRAM douce
- Microchip permet la capacité de production du TSMC et augmente les augmentations de prix
- Ruisa a lancé la nouvelle série RA0 Série Ultra -Low Power Entry -vel MCU
- Melexis lance une puce d'interrupteur d'inductivité intégrale complète
- X-FAB introduit la technologie d'éclairage du capteur d'image pour améliorer les performances du capteur CMOS
- La grande usine de puces a été affectée par le tremblement de terre: TSMC a cessé de fonctionner de toute urgence, exacerbant l'alimentation GPU en pénurie?
- La mémoire de Nand Flash continue, le fond du déstockage MCU est correct