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MB85R256FPFCN-G-BNDE1
- Artikelnummer:
- MB85R256FPFCN-G-BNDE1
- Hersteller:
- Fujitsu Electronics America, Inc.
- Beschreibung:
- IC FRAM 256K PARALLEL 28TSOP I
- Lead Free Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Bestandsmenge:
- 29017 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Vorlaufzeit:
- 4-8 weeks
- Datenblatt:
- MB85R256FPFCN-G-BNDE1.pdf
Einführung
Spezifikation
| Bedingung | New & Original, tested |
|---|---|
| Ursprungsland | Contact us |
| Markierungscode | Send by email |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 150ns |
| Spannungsversorgung: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Technologie: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 28-TSOP I |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tray |
| Verpackung / Gehäuse: | 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) |
| Andere Namen: | 865-1170 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Speichertyp: | Non-Volatile |
| Speichergröße: | 256Kb (32K x 8) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | FRAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns 28-TSOP I |
| Zugriffszeit: | 150ns |
| Email: | [email protected] |
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