MB39C811QN-G-EFE2 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour MB39C811QN-G-EFE2, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour MB39C811QN-G-EFE2 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez MB39C811QN-G-EFE2 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
MB39C811QN-G-EFE2
- Modèle de produit:
- MB39C811QN-G-EFE2
- Fabricant:
- Cypress Semiconductor
- La description:
- IC REG BUCK ENERGY HARVEST 40QFN
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 51654 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.MB39C811QN-G-EFE2.pdf2.MB39C811QN-G-EFE2.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Alimentation: | 2.6 V ~ 18 V |
| Package composant fournisseur: | 40-QFN (6x6) |
| Séries: | - |
| Emballage: | Cut Tape (CT) |
| Package / Boîte: | 40-VFQFN Exposed Pad |
| Autres noms: | 1534-1029-1 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | Energy Harvesting PMIC 40-QFN (6x6) |
| Offre actuelle: | 1.9µA |
| Applications: | Energy Harvesting |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes MB39C811QN-G-EFE2
Latest Nouvelles
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash