M55342E12B24B9R est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour M55342E12B24B9R, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour M55342E12B24B9R par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez M55342E12B24B9R avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
M55342E12B24B9R
- Modèle de produit:
- M55342E12B24B9R
- Fabricant:
- La description:
- RES SMD 24.9KOHM 0.1% 1/10W 0603
- Statut sans plomb:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Quantité en stock:
- 38803 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- M55342E12B24B9R.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension nominale - CA: | R (0.01%) |
| Tension - travail: | 0.1W, 1/10W |
| Tension - Ventilation: | 0603 |
| Epaisseur (max): | ±25ppm/°C |
| Taille / Dimension: | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
| Séries: | Military, MIL-PRF-55342, RM0603 |
| État RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polarisation: | 0603 (1608 Metric) |
| Autres noms: | 1217-1093-2 1217-1093-2-MIL |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Référence fabricant: | M55342E12B24B9R |
| Hauteur - Installé (max): | 0.024" (0.60mm) |
| Caractéristiques: | Military, Moisture Resistant |
| FIFO: | 2 |
| Description élargie: | 24.9k Ohm ±0.1% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0603 (1608 Metric) Military, Moisture Resistant Thin Film |
| ESR (résistance série équivalente): | ±0.1% |
| La description: | RES SMD 24.9KOHM 0.1% 1/10W 0603 |
| Coating, Type de logement: | Thin Film |
| Bande passante: | 24.9k |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes M55342E12B24B9R
| image | Modèle de produit | Fabricant | La description | Vue |
|---|---|---|---|---|
 |
M55342E12B240ARWS | Dale / Vishay | RES SMD 240 OHM 0.1% 1/10W 0603 | Enquête |
|
M55342E12B240DRWS | Dale / Vishay | RES SMD 240 OHM 1% 1/10W 0603 | Enquête |
|
M55342E12B24B9RT3 | Dale / Vishay | RES SMD 24.9KOHM 0.1% 1/10W 0603 | Enquête |
|
M55342E12B25B5RT5 | Dale / Vishay | RES SMD 25.5KOHM 0.1% 1/10W 0603 | Enquête |
|
M55342E12B249DRWS | Dale / Vishay | RES SMD 249 OHM 1% 1/10W 0603 | Enquête |
|
M55342E12B240ARWI | Dale / Vishay | RES SMD 240 OHM 0.1% 1/10W 0603 | Enquête |
|
M55342E12B24B9PWS | Dale / Vishay | RES SMD 24.9KOHM 0.1% 1/10W 0603 | Enquête |
|
M55342E12B249ARWS | Dale / Vishay | RES SMD 249 OHM 0.1% 1/10W 0603 | Enquête |
|
M55342E12B24E9RT5 | Dale / Vishay | RES SMD 24.9K OHM 1% 1/10W 0603 | Enquête |
|
M55342E12B25B5RT3 | Dale / Vishay | RES SMD 25.5KOHM 0.1% 1/10W 0603 | Enquête |
|
M55342E12B24B9RT5 | Dale / Vishay | RES SMD 24.9KOHM 0.1% 1/10W 0603 | Enquête |
|
M55342E12B243ARWS | Dale / Vishay | RES SMD 243 OHM 0.1% 1/10W 0603 | Enquête |
|
M55342E12B24B9CWS | Dale / Vishay | RES SMD 24.9KOHM 0.1% 1/10W 0603 | Enquête |
|
M55342E12B24B9RWS | Dale / Vishay | RES SMD 24.9KOHM 0.1% 1/10W 0603 | Enquête |
|
M55342E12B25B5RWS | Dale / Vishay | RES SMD 25.5KOHM 0.1% 1/10W 0603 | Enquête |
 |
M55342E12B25B5R | TT Electronics | RES SMD 25.5KOHM 0.1% 1/10W 0603 | Enquête |
|
M55342E12B25B2RWS | Dale / Vishay | RES SMD 25.2KOHM 0.1% 1/10W 0603 | Enquête |
|
M55342E12B249ARBS | Dale / Vishay | RES SMD 249 OHM 0.1% 1/10W 0603 | Enquête |
|
M55342E12B261ARBS | Dale / Vishay | RES SMD 261 OHM 0.1% 1/10W 0603 | Enquête |
|
M55342E12B249ARWI | Dale / Vishay | RES SMD 249 OHM 0.1% 1/10W 0603 | Enquête |
Latest Nouvelles
- Inventaire du cycle de simulation Fothing Out, AI Drives La demande de mémoire flash se poursuit
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires