LT1158ISW#TRPBF est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour LT1158ISW#TRPBF, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour LT1158ISW#TRPBF par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez LT1158ISW#TRPBF avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
LT1158ISW#TRPBF
- Modèle de produit:
- LT1158ISW#TRPBF
- Fabricant:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- La description:
- IC MOSFET DVR 1/2BRDG NCH 16SOIC
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 21988 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Alimentation: | 5 V ~ 30 V |
| Package composant fournisseur: | 16-SOIC |
| Séries: | - |
| Rise / Fall Time (Typ): | 130ns, 120ns |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Nombre de conducteurs: | 2 |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 12 Weeks |
| Tension logique - VIL, VIH: | 0.8V, 2V |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée: | Inverting, Non-Inverting |
| Côté haut potentiel - Max (Bootstrap): | 56V |
| Type de porte: | N-Channel MOSFET |
| Configuration pilotée: | Half-Bridge |
| Description détaillée: | Half-Bridge Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 16-SOIC |
| Current - Peak Output (Source, Évier): | 500mA, 500mA |
| courant de charge: | Synchronous |
| Numéro de pièce de base: | LT1158 |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes LT1158ISW#TRPBF
Latest Nouvelles
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti