JANTXV2N5666S est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour JANTXV2N5666S, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour JANTXV2N5666S par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez JANTXV2N5666S avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
JANTXV2N5666S
- Modèle de produit:
- JANTXV2N5666S
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- TRANS NPN 200V 5A TO39
- Statut sans plomb:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Quantité en stock:
- 25140 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- JANTXV2N5666S.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 200V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 5A, 1A |
| Transistor Type: | NPN |
| Package composant fournisseur: | TO-39 (TO-205AD) |
| Séries: | Military, MIL-PRF-19500/455 |
| Puissance - Max: | 1.2W |
| Emballage: | Bulk |
| Package / Boîte: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Autres noms: | 1086-21068 1086-21068-MIL |
| Température de fonctionnement: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 20 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Fréquence - Transition: | - |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 200V 5A 1.2W Through Hole TO-39 (TO-205AD) |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 40 @ 1A, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 200nA |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 5A |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes JANTXV2N5666S
Latest Nouvelles
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement
- Vishay lance un emballage minileur à haute luminosité petite LED bleu et vert pur