JANTXV2N5013
Modèle de produit:
JANTXV2N5013
Fabricant:
Microsemi
La description:
NPN TRANSISTOR
Statut sans plomb:
RoHS non conforme
Quantité en stock:
28736 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
JANTXV2N5013.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):800V
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:TO-5
Séries:Military, MIL-PRF-19500/727
Statut RoHS:RoHS non-compliant
Puissance - Max:1W
Package / Boîte:TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Température de fonctionnement:-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 200mA 1W Through Hole TO-5
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:30 @ 20mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):10nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):200mA
Email:[email protected]

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