JANTXV2N5013
Artikelnummer:
JANTXV2N5013
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
NPN TRANSISTOR
Lead Free Status:
RoHS nicht konform
Bestandsmenge:
28736 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
JANTXV2N5013.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):800V
Transistor-Typ:NPN
Supplier Device-Gehäuse:TO-5
Serie:Military, MIL-PRF-19500/727
RoHS-Status:RoHS non-compliant
Leistung - max:1W
Verpackung / Gehäuse:TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Betriebstemperatur:-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Frequenz - Übergang:-
detaillierte Beschreibung:Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 200mA 1W Through Hole TO-5
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE:30 @ 20mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max):10nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max):200mA
Email:[email protected]

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