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JANSR2N3810U
- Modèle de produit:
- JANSR2N3810U
- Fabricant:
- Microsemi
- La description:
- RH SMALL-SIGNAL BJT
- Statut sans plomb:
- RoHS non conforme
- Quantité en stock:
- 37823 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- JANSR2N3810U.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 1mA, 100µA |
| Transistor Type: | 2 PNP (Dual) |
| Package composant fournisseur: | 6-SMD |
| Séries: | Military, MIL-PRF-19500/336 |
| Statut RoHS: | RoHS non-compliant |
| Puissance - Max: | 350mW |
| Package / Boîte: | 6-SMD, No Lead |
| Température de fonctionnement: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 33 Weeks |
| Fréquence - Transition: | - |
| Description détaillée: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Surface Mount 6-SMD |
| Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: | 150 @ 1mA, 5V |
| Courant - Collecteur Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
| Courant - Collecteur (Ic) (max): | 50mA |
| Email: | [email protected] |
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