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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > JAN2N3019
JAN2N3019
JAN2N3019
Modèle de produit:
JAN2N3019
Fabricant:
Microsemi
La description:
TRANS NPN 80V 1A TO39
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
55702 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
JAN2N3019.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:500mV @ 50mA, 500mA
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:TO-39
Séries:Military, MIL-PRF-19500/391
Puissance - Max:800mW
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Autres noms:1086-2340
1086-2340-MIL
Température de fonctionnement:-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:23 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 800mW Through Hole TO-39
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:50 @ 500mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):10µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):1A
Email:[email protected]

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