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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaires (BJT) - Single > JAN2N1486
JAN2N1486
Modèle de produit:
JAN2N1486
Fabricant:
Microsemi
La description:
TRANS NPN 55V 3A
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
22620 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
JAN2N1486.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):55V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:750mV @ 40mA, 750mA
Transistor Type:NPN
Package composant fournisseur:TO-8
Séries:Military, MIL-PRF-19500/207
Puissance - Max:1.75W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-233AA, TO-8-3 Lens Top Metal Can
Autres noms:1086-16075
1086-16075-MIL
Température de fonctionnement:-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition:-
Description détaillée:Bipolar (BJT) Transistor NPN 55V 3A 1.75W Through Hole TO-8
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:35 @ 750mA, 4V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):15µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max):3A
Email:[email protected]

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