Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXTK110N20L2
IXTK110N20L2
IXTK110N20L2
Modèle de produit:
IXTK110N20L2
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 200V 110A TO-264
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
51341 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXTK110N20L2.pdf
Enquête

introduction

IXTK110N20L2 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour IXTK110N20L2, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour IXTK110N20L2 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez IXTK110N20L2 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 3mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-264 (IXTK)
Séries:Linear L2™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:24 mOhm @ 55A, 10V
Dissipation de puissance (max):960W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:26 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:23000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:500nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):200V
Description détaillée:N-Channel 200V 110A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:110A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes IXTK110N20L2

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
IXTK120P20T Image IXTK120P20T IXYS Corporation MOSFET P-CH 200V 120A TO-264 Enquête
IXTK100N25P Image IXTK100N25P IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 100A TO-264 Enquête
IXTK102N30P Image IXTK102N30P IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 Enquête
IXTJ4N150 Image IXTJ4N150 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1500V 2.5A ISOTO-247 Enquête
IXTK102N65X2 Image IXTK102N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 102A X2 TO-264 Enquête
IXTJ6N150 Image IXTJ6N150 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247 Enquête
IXTJ36N20 Image IXTJ36N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 36A TO-247AD Enquête
IXTI10N60P Image IXTI10N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 10A I2-PAK Enquête
IXTK140N30P Image IXTK140N30P IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 140A TO-264 Enquête
IXTK120N65X2 Image IXTK120N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 120A TO-264 Enquête
IXTK120N25P Image IXTK120N25P IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 Enquête
IXTI12N50P Image IXTI12N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 12A I2-PAK Enquête
IXTK140N20P Image IXTK140N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 140A TO-264 Enquête
IXTH96P085T Image IXTH96P085T IXYS Corporation MOSFET P-CH 85V 96A TO-247 Enquête
IXTK150N15P Image IXTK150N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 150A TO-264 Enquête
IXTK128N15 Image IXTK128N15 IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 128A TO-264 Enquête
IXTK120N25 Image IXTK120N25 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 Enquête
IXTH98N20T Image IXTH98N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 98A TO-247 Enquête
IXTK110N30 Image IXTK110N30 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 110A TO-264 Enquête
IXTK120N20P Image IXTK120N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 120A TO-264 Enquête

Latest Nouvelles