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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXTH1N170DHV
IXTH1N170DHV
IXTH1N170DHV
Modèle de produit:
IXTH1N170DHV
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH
Quantité en stock:
27283 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXTH1N170DHV.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
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Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-247HV
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:16 Ohm @ 500mA, 0V
Dissipation de puissance (max):290W (Tc)
Package / Boîte:TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3090pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:47nC @ 5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:Depletion Mode
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):0V
Tension drain-source (Vdss):1700V
Description détaillée:N-Channel 1700V 1A (Tj) 290W (Tc) Through Hole TO-247HV
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:1A (Tj)
Email:[email protected]

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