IXTH1N170DHV
IXTH1N170DHV
Número de pieza:
IXTH1N170DHV
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH
Cantidad de stock:
27283 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IXTH1N170DHV.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-247HV
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:16 Ohm @ 500mA, 0V
La disipación de energía (máximo):290W (Tc)
Paquete / Cubierta:TO-247-3 Variant
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante:24 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3090pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:47nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:Depletion Mode
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):0V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1700V
Descripción detallada:N-Channel 1700V 1A (Tj) 290W (Tc) Through Hole TO-247HV
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:1A (Tj)
Email:[email protected]

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