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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXTB30N100L
IXTB30N100L
IXTB30N100L
Modèle de produit:
IXTB30N100L
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
32658 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXTB30N100L.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PLUS264™
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:450 mOhm @ 500mA, 20V
Dissipation de puissance (max):800W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:13200pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:545nC @ 20V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):20V
Tension drain-source (Vdss):1000V
Description détaillée:N-Channel 1000V 30A (Tc) 800W (Tc) Through Hole PLUS264™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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