IXGT30N120B3D1 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour IXGT30N120B3D1, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour IXGT30N120B3D1 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez IXGT30N120B3D1 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
IXGT30N120B3D1
- Modèle de produit:
- IXGT30N120B3D1
- Fabricant:
- IXYS Corporation
- La description:
- IGBT 1200V 300W TO268
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 41699 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- IXGT30N120B3D1.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max): | 1200V |
| Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic: | 3.5V @ 15V, 30A |
| Condition de test: | 960V, 30A, 5 Ohm, 15V |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C: | 16ns/127ns |
| énergie de commutation: | 3.47mJ (on), 2.16mJ (off) |
| Package composant fournisseur: | TO-268 |
| Séries: | GenX3™ |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 100ns |
| Puissance - Max: | 300W |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 24 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée: | Standard |
| type de IGBT: | PT |
| gate charge: | 87nC |
| Description détaillée: | IGBT PT 1200V 300W Surface Mount TO-268 |
| Courant - Collecteur pulsée (Icm): | 150A |
| Numéro de pièce de base: | IXG*30N120 |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes IXGT30N120B3D1
Latest Nouvelles
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti