IXGM17N100A
Modèle de produit:
IXGM17N100A
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
POWER MOSFET TO-3
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
53483 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXGM17N100A.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):1000V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic:4V @ 15V, 17A
Condition de test:800V, 17A, 82 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C:100ns/500ns
énergie de commutation:3mJ (off)
Package composant fournisseur:TO-204AE
Séries:-
Temps de recouvrement inverse (trr):200ns
Puissance - Max:150W
Package / Boîte:TO-204AE
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Standard
type de IGBT:-
gate charge:120nC
Description détaillée:IGBT 1000V 34A 150W Through Hole TO-204AE
Courant - Collecteur pulsée (Icm):68A
Courant - Collecteur (Ic) (max):34A
Email:[email protected]

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