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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFV18N60P
IXFV18N60P
Modèle de produit:
IXFV18N60P
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
52219 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFV18N60P.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
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Vgs (th) (Max) @ Id:5.5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PLUS220
Séries:HiPerFET™, PolarHT™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:400 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max):360W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-220-3, Short Tab
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2500pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:N-Channel 600V 18A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS220
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

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