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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFT9N80Q
IXFT9N80Q
IXFT9N80Q
Modèle de produit:
IXFT9N80Q
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 800V 9A TO-268
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
42756 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFT9N80Q.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-268
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.1 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max):180W (Tc)
Emballage:Bulk
Package / Boîte:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2200pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):800V
Description détaillée:N-Channel 800V 9A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-268
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

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