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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFR24N100
IXFR24N100
IXFR24N100
Modèle de produit:
IXFR24N100
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
27561 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFR24N100.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5.5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:ISOPLUS247™
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:390 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max):416W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:ISOPLUS247™
Autres noms:Q1157068B
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:8700pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:267nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):1000V
Description détaillée:N-Channel 1000V 22A (Tc) 416W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

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