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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFN24N100
IXFN24N100
IXFN24N100
Modèle de produit:
IXFN24N100
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 1KV 24A SOT-227B
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
28191 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFN24N100.pdf
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Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
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Vgs (th) (Max) @ Id:5.5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SOT-227B
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:390 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max):568W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:8700pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:267nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):1000V
Description détaillée:N-Channel 1000V 24A (Tc) 568W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

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