Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFN150N15
IXFN150N15
IXFN150N15
Modèle de produit:
IXFN150N15
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
45651 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFN150N15.pdf
Enquête

introduction

IXFN150N15 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour IXFN150N15, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour IXFN150N15 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez IXFN150N15 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:SOT-227B
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:12.5 mOhm @ 75A, 10V
Dissipation de puissance (max):600W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:SOT-227-4, miniBLOC
Autres noms:Q3181657
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:9100pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:360nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):150V
Description détaillée:N-Channel 150V 150A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:150A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes IXFN150N15

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
IXFN132N50P3 Image IXFN132N50P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 112A SOT227 Enquête
IXFN140N20P Image IXFN140N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B Enquête
IXFN180N07 Image IXFN180N07 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B Enquête
IXFN170N30P Image IXFN170N30P IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B Enquête
IXFN110N85X Image IXFN110N85X IXYS Corporation MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B Enquête
IXFN170N25X3 Image IXFN170N25X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B Enquête
IXFN180N20 Image IXFN180N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B Enquête
IXFN170N10 Image IXFN170N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 170A SOT-227B Enquête
IXFN180N10 Image IXFN180N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B Enquête
IXFN140N30P Image IXFN140N30P IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B Enquête
IXFN130N30 Image IXFN130N30 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B Enquête
IXFN120N65X2 Image IXFN120N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 108A SOT-227 Enquête
IXFN170N65X2 Image IXFN170N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH Enquête
IXFN120N25 Image IXFN120N25 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227B Enquête
IXFN180N15P Image IXFN180N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B Enquête
IXFN140N25T Image IXFN140N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 Enquête
IXFN150N10 Image IXFN150N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227 Enquête
IXFN150N65X2 Image IXFN150N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 145A SOT-227 Enquête
IXFN120N20 Image IXFN120N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 120A SOT-227B Enquête
IXFN160N30T Image IXFN160N30T IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 130A SOT227 Enquête

Latest Nouvelles