Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFK180N085
IXFK180N085
IXFK180N085
Modèle de produit:
IXFK180N085
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 85V 180A TO-264AA
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
21407 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFK180N085.pdf
Enquête

introduction

IXFK180N085 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour IXFK180N085, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour IXFK180N085 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez IXFK180N085 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-264AA (IXFK)
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max):560W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:9100pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:320nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):85V
Description détaillée:N-Channel 85V 180A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes IXFK180N085

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
IXFK170N25X3 Image IXFK170N25X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 170A TO264 Enquête
IXFK21N100F Image IXFK21N100F IXYS RF MOSFET N-CH 1000V 21A TO264 Enquête
IXFK20N80Q Image IXFK20N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 20A TO-264AA Enquête
IXFK200N10P Image IXFK200N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 200A TO-264 Enquête
IXFK180N07 Image IXFK180N07 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 180A TO-264AA Enquête
IXFK210N30X3 Image IXFK210N30X3 IXYS Corporation 300V/210A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Enquête
IXFK15N100Q Image IXFK15N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 15A TO-264 Enquête
IXFK210N17T Image IXFK210N17T IXYS Corporation MOSFET N-CH 170V 210A TO-264 Enquête
IXFK180N25T Image IXFK180N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 180A TO-264 Enquête
IXFK180N10 Image IXFK180N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 180A TO-264AA Enquête
IXFK150N30X3 Image IXFK150N30X3 IXYS Corporation 300V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Enquête
IXFK170N10P Image IXFK170N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 170A TO-264 Enquête
IXFK180N15P Image IXFK180N15P IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 Enquête
IXFK20N120P Image IXFK20N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264 Enquête
IXFK170N20P Image IXFK170N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 170A TO-264 Enquête
IXFK170N20T Image IXFK170N20T IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 170A TO-264 Enquête
IXFK20N120 Image IXFK20N120 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264 Enquête
IXFK16N90Q Image IXFK16N90Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 16A TO-264AA Enquête
IXFK170N10 Image IXFK170N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 170A TO-264AA Enquête
IXFK160N30T Image IXFK160N30T IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 160A TO-264 Enquête

Latest Nouvelles