Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFH35N30Q
IXFH35N30Q
Modèle de produit:
IXFH35N30Q
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 300V 35A TO247AD
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
40116 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFH35N30Q.pdf
Enquête

introduction

IXFH35N30Q est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour IXFH35N30Q, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour IXFH35N30Q par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez IXFH35N30Q avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-247AD (IXFH)
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 17.5A, 10V
Dissipation de puissance (max):300W (Tc)
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4800pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:200nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):300V
Description détaillée:N-Channel 300V 35A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes IXFH35N30Q

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
IXFH36N55Q2 Image IXFH36N55Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 550V 36A TO-247 Enquête
IXFH40N30Q Image IXFH40N30Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD Enquête
IXFH32N48 IXYS Corporation MOSFET N-CH 480V 32A TO247AD Enquête
IXFH400N075T2 Image IXFH400N075T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 400A TO-247 Enquête
IXFH30N85X Image IXFH30N85X IXYS Corporation MOSFET N-CH 850V 30A TO247AD Enquête
IXFH320N10T2 Image IXFH320N10T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 320A TO-247 Enquête
IXFH40N50Q Image IXFH40N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 40A TO-247AD Enquête
IXFH35N30 Image IXFH35N30 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 35A TO-247AD Enquête
IXFH32N50 Image IXFH32N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AD Enquête
IXFH32N50Q Image IXFH32N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AD Enquête
IXFH36N60P Image IXFH36N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 36A TO-247 Enquête
IXFH34N50P3 Image IXFH34N50P3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 34A TO-247 Enquête
IXFH40N85X Image IXFH40N85X IXYS Corporation MOSFET NCH 850V 40A TO247 Enquête
IXFH34N65X2 Image IXFH34N65X2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 650V 34A TO-247 Enquête
IXFH36N50P Image IXFH36N50P IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 36A TO-247 Enquête
IXFH340N075T2 Image IXFH340N075T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 340A TO-247 Enquête
IXFH36N55Q Image IXFH36N55Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 550V 36A TO-247 Enquête
IXFH40N50Q2 Image IXFH40N50Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 40A TO-247 Enquête
IXFH32N48Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 480V 32A TO247AD Enquête
IXFH40N30 Image IXFH40N30 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD Enquête

Latest Nouvelles