Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFH13N100
IXFH13N100
IXFH13N100
Modèle de produit:
IXFH13N100
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
51181 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFH13N100.pdf
Enquête

introduction

IXFH13N100 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour IXFH13N100, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour IXFH13N100 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez IXFH13N100 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-247AD (IXFH)
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:900 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max):300W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:4000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:155nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):1000V
Description détaillée:N-Channel 1000V 12.5A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:12.5A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes IXFH13N100

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
IXFH12N120 Image IXFH12N120 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 Enquête
IXFH14N100 Image IXFH14N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247 Enquête
IXFH140N10P Image IXFH140N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 140A TO-247 Enquête
IXFH12N50F Image IXFH12N50F IXYS RF MOSFET N-CH 500V 12A TO247 Enquête
IXFH13N80Q Image IXFH13N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 Enquête
IXFH14N100Q2 Image IXFH14N100Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247AD Enquête
IXFH12N90 Image IXFH12N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD Enquête
IXFH12N100F Image IXFH12N100F IXYS RF MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD Enquête
IXFH13N90 Image IXFH13N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 13A TO-247 Enquête
IXFH14N60P Image IXFH14N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 Enquête
IXFH12N90P Image IXFH12N90P IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 Enquête
IXFH12N120P Image IXFH12N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 Enquête
IXFH12N100P Image IXFH12N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 Enquête
IXFH13N80 Image IXFH13N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 13A TO-247AD Enquête
IXFH130N15X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH Enquête
IXFH140N20X3 Image IXFH140N20X3 IXYS Corporation 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Enquête
IXFH12N80P Image IXFH12N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 12A TO-247 Enquête
IXFH14N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 14A TO247AD Enquête
IXFH12N100Q Image IXFH12N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD Enquête
IXFH13N50 Image IXFH13N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD Enquête

Latest Nouvelles