Français
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
À propos de nous | Nous contacter | Demander un devis |
Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFH12N80P
IXFH12N80P
IXFH12N80P
Modèle de produit:
IXFH12N80P
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
54349 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFH12N80P.pdf
Enquête

introduction

IXFH12N80P est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour IXFH12N80P, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour IXFH12N80P par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez IXFH12N80P avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:5.5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-247AD (IXFH)
Séries:HiPerFET™, PolarHT™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:850 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max):360W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2800pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:51nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):800V
Description détaillée:N-Channel 800V 12A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes

pièces connexes IXFH12N80P

image Modèle de produit Fabricant La description Vue
IXFH12N50F Image IXFH12N50F IXYS RF MOSFET N-CH 500V 12A TO247 Enquête
IXFH13N90 Image IXFH13N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 13A TO-247 Enquête
IXFH12N100F Image IXFH12N100F IXYS RF MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD Enquête
IXFH13N50 Image IXFH13N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 13A TO-247AD Enquête
IXFH13N80Q Image IXFH13N80Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 13A TO-247 Enquête
IXFH12N100P Image IXFH12N100P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 Enquête
IXFH120N25T Image IXFH120N25T IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 120A TO-247 Enquête
IXFH12N100 Image IXFH12N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD Enquête
IXFH12N120P Image IXFH12N120P IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 Enquête
IXFH12N90P Image IXFH12N90P IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 12A TO-247 Enquête
IXFH12N90 Image IXFH12N90 IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD Enquête
IXFH12N120 Image IXFH12N120 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 Enquête
IXFH130N15X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH Enquête
IXFH12N100Q Image IXFH12N100Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247AD Enquête
IXFH120N30X3 Image IXFH120N30X3 IXYS Corporation 300V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Enquête
IXFH140N10P Image IXFH140N10P IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 140A TO-247 Enquête
IXFH140N20X3 Image IXFH140N20X3 IXYS Corporation 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS Enquête
IXFH120N25X3 Image IXFH120N25X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 120A TO247 Enquête
IXFH13N100 Image IXFH13N100 IXYS Corporation MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO-247 Enquête
IXFH13N80 Image IXFH13N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 13A TO-247AD Enquête

Latest Nouvelles