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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - Single > IXFA12N65X2
IXFA12N65X2
IXFA12N65X2
Modèle de produit:
IXFA12N65X2
Fabricant:
IXYS Corporation
La description:
MOSFET N-CH
Quantité en stock:
28178 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXFA12N65X2.pdf
Enquête

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-263AA
Séries:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:310 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max):180W (Tc)
Package / Boîte:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Délai de livraison standard du fabricant:24 Weeks
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1134pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:18.5nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):650V
Description détaillée:N-Channel 650V 12A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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