IXDF602SIA
Modèle de produit:
IXDF602SIA
Fabricant:
IXYS Integrated Circuits Division
La description:
MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
41420 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IXDF602SIA.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Tension - Alimentation:4.5 V ~ 35 V
Package composant fournisseur:8-SOIC
Séries:-
Rise / Fall Time (Typ):7.5ns, 6.5ns
Emballage:Tube
Package / Boîte:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Autres noms:CLA353
IXDF602SIA-ND
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Nombre de conducteurs:2
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:7 Weeks
Tension logique - VIL, VIH:0.8V, 3V
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée:Inverting, Non-Inverting
Type de porte:IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Configuration pilotée:Low-Side
Description détaillée:Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC
Current - Peak Output (Source, Évier):2A, 2A
courant de charge:Independent
Email:[email protected]

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