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IRL60SL216
- Modèle de produit:
- IRL60SL216
- La description:
- MOSFET N-CH 60V 195A
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 36793 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- IRL60SL216.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | TO-262-3 |
| Séries: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.95 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 375W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Autres noms: | IRL60SL216 -ND SP001558100 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 15330pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 255nC @ 4.5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| Description détaillée: | N-Channel 60V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 195A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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