IRFHM792TRPBF
Modèle de produit:
IRFHM792TRPBF
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
48112 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IRFHM792TRPBF.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 10µA
Package composant fournisseur:8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Séries:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:195 mOhm @ 2.9A, 10V
Puissance - Max:2.3W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:8-PowerVDFN
Autres noms:SP001554848
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:251pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:6.3nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Dual)
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2.3A 2.3W Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:2.3A
Numéro de pièce de base:IRFHM792PBF
Email:[email protected]

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