IRFH5304TR2PBF
IRFH5304TR2PBF
Modèle de produit:
IRFH5304TR2PBF
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 30V 22A 8VQFN
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
20916 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IRFH5304TR2PBF.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:2.35V @ 50µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:8-PQFN (5x6)
Séries:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.5 mOhm @ 47A, 10V
Dissipation de puissance (max):3.6W (Ta), 46W (Tc)
Emballage:Original-Reel®
Package / Boîte:8-PowerVDFN
Autres noms:IRFH5304TR2PBFDKR
Température de fonctionnement:-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:2360pF @ 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:41nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):30V
Description détaillée:N-Channel 30V 22A (Ta), 79A (Tc) 3.6W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:22A (Ta), 79A (Tc)
Email:[email protected]

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