IRFBC40L est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour IRFBC40L, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour IRFBC40L par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez IRFBC40L avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
IRFBC40L
- Modèle de produit:
- IRFBC40L
- Fabricant:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- La description:
- MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262
- Statut sans plomb:
- Contient du plomb / Non conforme à RoHS
- Quantité en stock:
- 40534 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- IRFBC40L.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | I2PAK |
| Séries: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.2 Ohm @ 3.7A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 3.1W (Ta), 130W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Autres noms: | *IRFBC40L |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1300pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 600V |
| Description détaillée: | N-Channel 600V 6.2A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 6.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes IRFBC40L
Latest Nouvelles
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash