IRF9Z14L
IRF9Z14L
Modèle de produit:
IRF9Z14L
Fabricant:
Electro-Films (EFI) / Vishay
La description:
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
25684 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IRF9Z14L.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:I2PAK
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:500 mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max):3.7W (Ta), 43W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms:*IRF9Z14L
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:270pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
type de FET:P-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):60V
Description détaillée:P-Channel 60V 6.7A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Through Hole I2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:6.7A (Tc)
Email:[email protected]

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