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IRF7475PBF
- Modèle de produit:
- IRF7475PBF
- La description:
- MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 33931 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- IRF7475PBF.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | 8-SO |
| Séries: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 15 mOhm @ 8.8A, 4.5V |
| Dissipation de puissance (max): | 2.5W (Ta) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | *IRF7475PBF SP001563546 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 1590pF @ 6V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 4.5V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 2.8V, 4.5V |
| Tension drain-source (Vdss): | 12V |
| Description détaillée: | N-Channel 12V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 11A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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