IRF6714MTR1PBF
IRF6714MTR1PBF
Modèle de produit:
IRF6714MTR1PBF
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
28455 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IRF6714MTR1PBF.pdf

introduction

IRF6714MTR1PBF est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour IRF6714MTR1PBF, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour IRF6714MTR1PBF par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez IRF6714MTR1PBF avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]

Spécifications

État New & Original, tested
Pays d'origine Contact us
Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:2.4V @ 100µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:DIRECTFET™ MX
Séries:HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.1 mOhm @ 29A, 10V
Dissipation de puissance (max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:DirectFET™ Isometric MX
Autres noms:IRF6714MTR1PBFTR
SP001526994
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:3890pF @ 13V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:44nC @ 4.5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):25V
Description détaillée:N-Channel 25V 29A (Ta), 166A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:29A (Ta), 166A (Tc)
Email:[email protected]

Requête rapide Quote

Modèle de produit
Quantité
Compagnie
Email
Téléphone
Remarques / Notes