IRF100P219XKMA1
IRF100P219XKMA1
Modèle de produit:
IRF100P219XKMA1
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
TRENCH_MOSFETS
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
46933 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IRF100P219XKMA1.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Code de marquage Send by email
Vgs (th) (Max) @ Id:3.8V @ 278µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:TO-247AC
Séries:StrongIRFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.7 mOhm @ 100A, 10V
Dissipation de puissance (max):341W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-247-3
Autres noms:SP001619552
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:12020pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:270nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):6V, 10V
Tension drain-source (Vdss):100V
Description détaillée:N-Channel 100V 341W (Tc) Through Hole TO-247AC
Email:[email protected]

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