IR2181STRPBF est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour IR2181STRPBF, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour IR2181STRPBF par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez IR2181STRPBF avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
IR2181STRPBF
- Modèle de produit:
- IR2181STRPBF
- La description:
- IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 49038 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- IR2181STRPBF.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - Alimentation: | 10 V ~ 20 V |
| Package composant fournisseur: | 8-SOIC |
| Séries: | - |
| Rise / Fall Time (Typ): | 40ns, 20ns |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Autres noms: | IR2181SPBFTR IR2181STRPBF-ND IR2181STRPBFTR-ND SP001535282 |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Nombre de conducteurs: | 2 |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 2 (1 Year) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 18 Weeks |
| Tension logique - VIL, VIH: | 0.8V, 2.7V |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type d'entrée: | Non-Inverting |
| Côté haut potentiel - Max (Bootstrap): | 600V |
| Type de porte: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Configuration pilotée: | Half-Bridge |
| Description détaillée: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC |
| Current - Peak Output (Source, Évier): | 1.9A, 2.3A |
| courant de charge: | Independent |
| Numéro de pièce de base: | IR2181SPBF |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes IR2181STRPBF
Latest Nouvelles
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement