IPU13N03LA G
IPU13N03LA G
Modèle de produit:
IPU13N03LA G
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 25V 30A TO-251
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
33681 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IPU13N03LA G.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:2V @ 20µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:P-TO251-3
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:12.8 mOhm @ 30A, 10V
Dissipation de puissance (max):46W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Autres noms:IPU13N03LA
IPU13N03LAGIN
IPU13N03LAGX
IPU13N03LAGXTIN
IPU13N03LAGXTIN-ND
IPU13N03LAIN
IPU13N03LAIN-ND
SP000017538
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:1043pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:8.3nC @ 5V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss):25V
Description détaillée:N-Channel 25V 30A (Tc) 46W (Tc) Through Hole P-TO251-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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