IPP100N04S2L03AKSA2 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour IPP100N04S2L03AKSA2, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour IPP100N04S2L03AKSA2 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez IPP100N04S2L03AKSA2 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
IPP100N04S2L03AKSA2
- Modèle de produit:
- IPP100N04S2L03AKSA2
- La description:
- MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 55050 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- IPP100N04S2L03AKSA2.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO220-3-1 |
| Séries: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.3 mOhm @ 80A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 300W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 |
| Autres noms: | SP001063638 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 6000pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 230nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 4.5V, 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 40V |
| Description détaillée: | N-Channel 40V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes IPP100N04S2L03AKSA2
Latest Nouvelles
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement
- Vishay lance un emballage minileur à haute luminosité petite LED bleu et vert pur
- Ansonmei a lancé un capteur de position inductif pour le marché industriel et des transports
- Ruisa démarre l'ancienne usine pour augmenter le dispositif d'alimentation, le tremblement de terre affecte la sortie DRAM douce
- Microchip permet la capacité de production du TSMC et augmente les augmentations de prix
- Ruisa a lancé la nouvelle série RA0 Série Ultra -Low Power Entry -vel MCU
- Melexis lance une puce d'interrupteur d'inductivité intégrale complète
- X-FAB introduit la technologie d'éclairage du capteur d'image pour améliorer les performances du capteur CMOS
- La grande usine de puces a été affectée par le tremblement de terre: TSMC a cessé de fonctionner de toute urgence, exacerbant l'alimentation GPU en pénurie?
- La mémoire de Nand Flash continue, le fond du déstockage MCU est correct
- Sous la sortie aérienne de l'IA, les deux principaux géants de la puce sont "pas forts": écraser l'argent pour briser le jeu, parier sur 2025 batailles d'équipe