IPP093N06N3GHKSA1 est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour IPP093N06N3GHKSA1, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour IPP093N06N3GHKSA1 par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez IPP093N06N3GHKSA1 avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
IPP093N06N3GHKSA1
- Modèle de produit:
- IPP093N06N3GHKSA1
- La description:
- MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 53489 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- IPP093N06N3GHKSA1.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 34µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO-220-3 |
| Séries: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9.3 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 71W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-220-3 |
| Autres noms: | SP000398048 |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 2900pF @ 30V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé): | 10V |
| Tension drain-source (Vdss): | 60V |
| Description détaillée: | N-Channel 60V 50A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes IPP093N06N3GHKSA1
Latest Nouvelles
- Le rapport financier de NXP et Ansonmei a annoncé et le prix des prix du cuivre est transmis à l'industrie IC
- Moels Micro Electronics a créé de nouveaux bureaux à Taiwan, en Chine, pour développer le territoire des affaires
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Le rapport financier du premier trimestre du semi-conducteur SEF diminue, et la demande d'automobiles a ralenti
- Les performances de Texas Instruments doivent encore être stimulées, et les deux usines de stockage poussent de nouveaux produits de mémoire flash
- Volume local de puces matures, Samsung Nand Flash Memory Production Captise Près de chargement
- Vishay lance un emballage minileur à haute luminosité petite LED bleu et vert pur
- Ansonmei a lancé un capteur de position inductif pour le marché industriel et des transports
- Ruisa démarre l'ancienne usine pour augmenter le dispositif d'alimentation, le tremblement de terre affecte la sortie DRAM douce
- Microchip permet la capacité de production du TSMC et augmente les augmentations de prix
- Ruisa a lancé la nouvelle série RA0 Série Ultra -Low Power Entry -vel MCU
- Melexis lance une puce d'interrupteur d'inductivité intégrale complète