IPI77N06S3-09
IPI77N06S3-09
Modèle de produit:
IPI77N06S3-09
Fabricant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
La description:
MOSFET N-CH 55V 77A TO-262
Statut sans plomb:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité en stock:
27349 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
IPI77N06S3-09.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 55µA
Vgs (Max):±20V
La technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur:PG-TO262-3
Séries:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9.1 mOhm @ 39A, 10V
Dissipation de puissance (max):107W (Tc)
Emballage:Tube
Package / Boîte:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms:IPI77N06S3-09-ND
IPI77N06S3-09IN
IPI77N06S309X
IPI77N06S309XK
SP000088716
Température de fonctionnement:-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:5335pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:103nC @ 10V
type de FET:N-Channel
Fonction FET:-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé):10V
Tension drain-source (Vdss):55V
Description détaillée:N-Channel 55V 77A (Tc) 107W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:77A (Tc)
Email:[email protected]

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