IPI77N06S3-09 er tilgængelig nu!LYNTEAM Teknologi er den strømforhandler for IPI77N06S3-09, vi har lagrene for øjeblikkelig forsendelse og også tilgængelig i lang tid.Venligst send os din købsplan for IPI77N06S3-09 via e-mail, vi vil give dig en bedste pris efter din plan.
Køb IPI77N06S3-09 med LYNTEAM, gem dine penge og tid.
Vores email: [email protected]
IPI77N06S3-09
- Varenummer:
- IPI77N06S3-09
- Beskrivelse:
- MOSFET N-CH 55V 77A TO-262
- Blyfri status:
- Blyfri / RoHS-kompatibel
- Lager Antal:
- 27349 Pieces
- Leveringstid:
- 1-2 days
- Blytid:
- 4-8 weeks
- Datablad:
- IPI77N06S3-09.pdf
Introduktion
specifikationer
| Tilstand | New & Original, tested |
|---|---|
| Oprindelsesland | Contact us |
| Mærkningskode | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 55µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Device Package: | PG-TO262-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 9.1 mOhm @ 39A, 10V |
| Power Dissipation (Max): | 107W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Pakke / tilfælde: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Andre navne: | IPI77N06S3-09-ND IPI77N06S3-09IN IPI77N06S309X IPI77N06S309XK SP000088716 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstype: | Through Hole |
| Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Blyfri Status / RoHS Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 5335pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 103nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funktion: | - |
| Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On): | 10V |
| Afløb til Source Voltage (VDSS): | 55V |
| Detaljeret beskrivelse: | N-Channel 55V 77A (Tc) 107W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 77A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Relaterede dele til IPI77N06S3-09
Laast News
- Den første kvartals økonomiske rapport fra SEF Semiconductor (ST) falder, og efterspørgslen efter biler er aftaget
- Udførelsen af Texas Instruments skal stadig øges, og de to lagerfabrikker skubber nye flashhukommelsesprodukter
- Lokal moden chipvolumen, samsung nand flash hukommelsesproduktionskapacitet nær belastning
- Vishay lancerer miniled emballage høj lysstyrke lille blå og ren grøn led
- Ansonmei lancerede en induktiv positionssensor for markedet for industriel og transport
- Ruisa starter den gamle fabrik for at øge effektenheden, jordskælvet påvirker dram -output mild
- Microchip muliggør produktionskapaciteten for TSMC og øger prisstigninger
- Ruisa lancerede den nye RA0 -serie Ultra -Low Power Entry -Level MCU
- Melexis lancerer en fuld -integreret induktorafbryderchip
- X-FAB introducerer billedføler tilbage belysningsteknologi for at forbedre CMOS-sensorens ydeevne
- Den store chipfabrik blev påvirket af jordskælvet: TSMC stoppede med at fungere presserende og forværre GPU -forsyningen mangler?
- NAND -flashhukommelse fortsætter, MCU Destocking Bottom er rigtig