IPI023NE7N3 G est disponible maintenant!La technologie LYNTEAM est le distributeur de stockage pour IPI023NE7N3 G, nous avons les stocks d'expédition immédiate et également disponibles pour l'approvisionnement de longue date.Veuillez nous envoyer votre plan d'achat pour IPI023NE7N3 G par courrier électronique, nous vous donnerons un meilleur prix en fonction de votre plan.
Achetez IPI023NE7N3 G avec LYNTEAM, économisez votre argent et votre temps.
Notre email: [email protected]
IPI023NE7N3 G
- Modèle de produit:
- IPI023NE7N3 G
- La description:
- MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 45462 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- IPI023NE7N3 G.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.8V @ 273µA |
| La technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur: | PG-TO262-3 |
| Séries: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipation de puissance (max): | 300W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Package / Boîte: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Autres noms: | IPI023NE7N3 G-ND IPI023NE7N3G |
| Température de fonctionnement: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage: | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds: | 14400pF @ 37.5V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs: | 206nC @ 10V |
| type de FET: | N-Channel |
| Fonction FET: | - |
| Tension drain-source (Vdss): | 75V |
| Description détaillée: | N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
pièces connexes IPI023NE7N3 G
Latest Nouvelles
- ARM est apparu dans Computex 2024: Il est prévu que plus de 100 milliards d'appareils de bras puissent être utilisés pour l'IA d'ici la fin de 2025
- Qorvo a lancé les préliminaires exceptionnels de l'industrie High-Gain MMIMO de l'industrie
- Inventaire du cycle de simulation Fothing Out, AI Drives La demande de mémoire flash se poursuit
- Le plan de Micron pour construire une mémoire flash nand à des prix élevés ou une maintenance
- Les performances ADI sont réduites, les substrats en feuille de cuivre ont augmenté, le stockage de la production d'usine d'usine d'origine conservatrice
- La vague d'intelligence dans la voiture arrive, et Aimus Oslang a aidé Sagita Juguang à libérer le MX Lidar
- La capacité de production HBM est exclue, la mémoire DRAM peut être en panne au second semestre
- Les fondateurs de mur finiront, HBM ou feront remonter le DRAM
- Demande d'expansion des téléphones portables et PC IA, amélioration de l'industrie mondiale de la fabrication de semi-conducteurs
- Comprendre les besoins des systèmes de surveillance ADAS et de cabine pour les capteurs d'image de sécurité du réseau
- Il est dit que Samsung et Sk Hynix ont arrêté DDR3, et la citation de promotion a augmenté de 20%
- Melexis a publié MLX90427: Contrôle des lignes au nouveau choix, sûr, efficace et économique